Katalog Vědecké knihovny v Olomouci, báze SVK01, záznam 000631111

Navigace: https://aleph22.vkol.cz/pub / svk01 / 00063xxxx / 0006311xx / 000631111.htm

Chcete-li získat tento dokument, vstupte přímo do katalogu. Získat dokument z katalogu.
If you want to get more information about the document, enter the online catalog. Get the item from catalog.

ISBN(Brož.)
MDT(043.3)
MDT544.163.2
MDT548.7
MDT661.665.1
HZ-Osobní jménoDalibor, Thomas Erich, 1968-
Názvové údajeDeep defect centers in 4H and 6H Silicon Carbide / Thomas Erich Dalibor
Nakladatel.údaje2002
Údaje fyz.popisuvi, 162 s. : il., tab. ; 21 cm
Pozn.o disertaciDissertation--Naturwissenschaftliche Fakultät der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg
Pozn.o bibliogr.Bibliografie na s. 153-162
Předm.-Věc.témakarbid křemičitý
Předm.-Věc.témastrukturní analýza
Žánr/formadisertace
VZ-KorporaceFriedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg. Naturwissenschaftliche Fakultät
Sigla,sign.vlastn.OLA001 1-136.524
Počet exemplářů1

Úvodní stránka katalogu. O úroveň zpět..
© 2007 Ex Libris & Vědecká knihovna v Olomouci - webmaster.