Katalog Vědecké knihovny v Olomouci -- Monoliticky integrované planární polovodičové uspořádání Monolithically integrated planar semiconductor arrangement -- OLA001 288350

Katalog Vědecké knihovny v Olomouci, báze SVK06, záznam 000288350

Navigace: http://aleph.vkol.cz/pub / svk06 / 00028xxxx / 0002883xx / 000288350.htm

Chcete-li získat tento dokument, vstupte přímo do katalogu.
If you want to get more information about the document, enter the online catalog.

Formát	BK
Návěští	-----nam--22--------450-
Identif.č.záznamu	upv000288350
Datum+čas posl.zpr.	20031107
Všeob.údaje zprac.	19960618d2001----km-y0czey0103----ba
Jazyk popisné jedn.	cze
Země vydání dokum.	CZ
Název a odpovědnost	Monoliticky integrované planární polovodičové uspořádání Monolithically integrated planar semiconductor arrangement
Nakladatelské údaje	Praha Úřad průmyslového vlastnictví 2001
Obecné poznámky	Datum oznámení zápisu: 19950722
Obecné poznámky	Datum podání přihlášky: 19960618
Obecné poznámky	Datum zveřejnění přihlášky: 20010516
Obecné poznámky	Právo přednosti: DE 1995/19526902
Obecné poznámky	Číslo přihlášky: 1998-192
Anotace, referát	In the present invention there is disclosed a monolithically integrated planar semiconductor arrangement that comprises at least one p-n junction formed by a substrate, consisting of an upper layer (1) and a bottom layer (2) and having a conductivity of a first type and a region introduced into the substrate and having a conductivity of a second type being opposite to the first conductivity type, further a covering electrode (6) being arranged on a passivation layer (5) and covering a space charge region of the at least one p-n junction occurring in a blocking operation, and a voltage divider being connected in parallel with the at least one p-n junction and the connection of which is connected with the covering electrode (6). The voltage divider is integrated in the semiconductor arrangement and includes two elements with positive temperature coefficient and with negative temperature coefficient, respectively. eng
Anotace, referát	Monoliticky integrované planární polovodičové uspořádání je provedeno s alespoň jedním přechodem PN, který je tvořen nosnou vrstvou, sestávající z horní vrstvy (1) a spodní vrstvy (2) a mající vodivost prvního typu a zónu mající vodivost opačného typu, vloženou do nosné vrstvy, s krycí elektrodou (6) uspořádanou v pasivační vrstvě (5), která pokrývá zónu prostorového náboje přechodu PN vznikající v závěrném provozu, a s napěťovým děličem, který je připojen paralelně k přechodu PN, a jehož odbočka je spojena s krycí elektrodou (6). Napěťový dělič je integrován v polovodičovém uspořádání a má prvky s kladnými a zápornými teplotními součiniteli. cze
Souběžný název	Monolithically integrated planar semiconductor arrangement
Další system.sel.j.	H 01L 027/08 MPT
Další system.sel.j.	H 01L 029/06 MPT
Další system.sel.j.	H 01L 029/72 MPT
Osobní jm.-sekund.o	GOERLACH ALFRED 560 DE
Osobní jm.-sekund.o	MICHEL HARTMUT 560 DE
Osobní jm.-sekund.o	PLUNTKE CHRISTIAN 560 DE
Korpor.,akce-sek.o.	ROBERT BOSCH GMBH DE
Zdroj.pův.katalog.	CZ ÚPV 20010516
Zdroj.pův.katalog.	CZ OLA001 20031107
Sigla,sign.vlastn.	OLA001 288350
Počet exemplářů	1
Logická báze	B6
Katalogizátor	20031107 SVK06 1844
Katalogizátor	20060721 SVK06 1401