Katalog Vědecké knihovny v Olomouci -- Soustava MxN tenkovrstvových ovládaných zrcadel a způsob její výroby Array of M times N thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof -- OLA001 288386

Katalog Vědecké knihovny v Olomouci, báze SVK06, záznam 000288386

Navigace: http://aleph.vkol.cz/pub / svk06 / 00028xxxx / 0002883xx / 000288386.htm

Chcete-li získat tento dokument, vstupte přímo do katalogu.
If you want to get more information about the document, enter the online catalog.

Formát	BK
Návěští	-----nam--22--------450-
Identif.č.záznamu	upv000288386
Datum+čas posl.zpr.	20031107
Všeob.údaje zprac.	19951017d2001----km-y0czey0103----ba
Jazyk popisné jedn.	cze
Země vydání dokum.	CZ
Název a odpovědnost	Soustava MxN tenkovrstvových ovládaných zrcadel a způsob její výroby Array of M times N thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof
Nakladatelské údaje	Praha Úřad průmyslového vlastnictví 2001
Obecné poznámky	Datum oznámení zápisu: 19941114
Obecné poznámky	Datum podání přihlášky: 19951017
Obecné poznámky	Datum zveřejnění přihlášky: 20010613
Obecné poznámky	Právo přednosti: KR 1994/9429763
Obecné poznámky	Číslo přihlášky: 1997-1487
Anotace, referát	...layer (130), comprising inner surfaces of all the holes (190) and on which an upper electrodisplacive layer (170) is put at simultaneous filling of the holes (190), whereby on said upper electrodisplacive layer (170) there is performed a first layer (150) of electrically-conducting and light reflecting material. Further patterning of so produced half-finished products (250) of the actuating structures (111) is carried out and in the end the thin auxiliary layer (140) is removed for creating the array (100) M times N thin film actuated mirrors. eng
Anotace, referát	...při současném zaplňování děr (190), uloží horní elektricky přemístitelná vrstva (170), na které se vytvoří první vrstva (150) z elektricky vodivého a světlo odrážejícího materiálu. Dále se pak ještě provádí vzorování takto vytvořených polotovarů (250) ovládacích struktur (111), po kterém se nakonec odstraní tenká pomocná vrstva (140), pro vytvoření soustavy (100) MxN tenkovrstvových ovládaných zrcadel (101). cze
Anotace, referát	Soustava (100) sestává jednak z aktivní matrice (120), zahrnující podkladovou vrstvu (122) se soustavou připojovacích svorek (124) a soustavou MxN tranzistorů, a jednak ze soustavy MxN ovládacích struktur (111), z nichž každá zahrnuje jednak druhou tenkovrstvou elektrodu (165), uspořádanou jako druhá vychylovací elektroda, jednak dolní elektricky přemístitelný prvek (185), jednak prostřední tenkovrstvou elektrodu (135), uspořádanou jako signální elektroda, jednak horní elektricky přemístitelný prvek (175) a jednak první tenkovrstvou elektrodu (155), uspořádanou jako zrcadlo a první vychylovací elektroda, přičemž elektricky přemístitelné prvky (175, 185) jsou od sebe odděleny prostřední tenkovrstvou elektrodou (135), která je umístěna na horním povrchu horního elektricky přemístitelného prvku (175) a druhá tentkovrstvá elektroda (165) je umístěna na dolním povrchu dolního elektricky přemístitelného prvku (185), přičemž prostřední tenkovrstvá elektroda (135) je elektricky připojena k tranzistorům prostřednictvím připojovacích svorek (124) a proximální konec každé ovládací struktury (111) je připevněn k hornímu povrchu aktivní matrice (120). Při výrobě soustavy (100) se na horní povrch připravené aktivní matrice (120) nejprve uloží pomocná vrstva (140), jejíž části, vytvořené na připojovacích svorkách (124) se následně odstraní, pak se vytvoří druhá vrstva (160) druhé tenkovrstvé elektrody (165), jejíž části, vytvořené na připojovacích svorkách (124) se následně odstraní, načež se na druhou tenkovrstvou elektrodu (165) uloží dolní elektricky přemístitelná vrstva (180), poté se vytvoří soustava MxN děr (190) a dále se na dolní elektricky přemístitelnou vrstvu (180) položí prostřední elektrodová vrstva (130), zahrnující vnitřní povrchy všech děr (190), na kterou se následně,... cze
Anotace, referát	The proposed array (100) includes an active matrix (120) comprising a substrate (122) with an array of connecting terminals (124) and an array of M times N transistors, and further an array of M times N actuating structures (111). Each of the actuating structures (111) includes a second thin film electrode (165) being arranged as a second deflecting electrode, a lower electrodisplacive member (185), a middle thin film electrode (135) being arranged as a signal electrode, an upper electrodisplacive member (175) and a first thin film electrode (155) being arranged as a mirror and the first deflecting electrode, whereby the electrodisplacive members (175, 185) are separated from each other by the middle thin film electrode (135) that is situated on upper surface of the upper electrodisplacive member (175) and the second thin film electrode (165) is placed on lower surface of the lower electrodisplacive member (185), whereby said middle thin film electrode (135) is electrically connected to transistors through the mediation of the connecting terminals(124) and proximal end of each actuating structure (111) is attached to said active matrix (120) upper surface. When producing the invented array (100) first auxiliary layer (140) is put on upper surface of already prepared active matrix (120), said auxiliary layer (140) portions formed on connecting terminals (124) are subsequently removed, then a second layer (160) of the second thin film electrode (165) is made and whose portions formed on connecting terminals (124) are subsequently removed, whereupon a lower electrodisplacive layer (180) is put onto the second thin film electrode (165). Subsequently a system of M x N holes (190) is performed and further on said lower electrodisplacive layer (180) there is put a middle electrode... eng
Souběžný název	Array of M times N thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof
Další system.sel.j.	G 02B 026/08 MPT
Další system.sel.j.	H 04N 009/31 MPT
Osobní jm.-sekund.o	Min Yong-Ki Seoul (KR) p
Korpor.,akce-sek.o.	DAEWOO ELECTRONICS CO., LTD. Seoul (KR) m
Korpor.,akce-sek.o.	PATENTSERVIS PRAHA a.s. Praha 4, Jivenská 1273, 14021 z
Zdroj.pův.katalog.	CZ ÚPV 20010613
Zdroj.pův.katalog.	CZ OLA001 20031107
Sigla,sign.vlastn.	OLA001 288386
Počet exemplářů	1
Logická báze	B6
Katalogizátor	20031107 SVK06 1844
Katalogizátor	20060721 SVK06 1401