Katalog Vědecké knihovny v Olomouci, báze SVK06, záznam 000291341
Navigace: http://aleph.vkol.cz/pub / svk06 / 00029xxxx / 0002913xx / 000291341.htm
Chcete-li získat tento dokument, vstupte přímo do katalogu.
If you want to get more information about the document, enter the online catalog.
Formát | BK |
Návěští | -----nam--22--------450- |
Identif.č.záznamu | upv000291341 |
Datum+čas posl.zpr. | 20031107 |
Všeob.údaje zprac. | 19990514d2003----km-y0czey0103----ba |
Jazyk popisné jedn. | cze |
Země vydání dokum. | CZ |
Název a odpovědnost | Způsob výroby polovodičových součástek Process for producing semicontrolled devices |
Nakladatelské údaje | Praha Úřad průmyslového vlastnictví 2003 |
Obecné poznámky | Datum podání přihlášky: 19990514 |
Obecné poznámky | Datum zveřejnění přihlášky: 20030212 |
Obecné poznámky | Číslo přihlášky: 1999-1735 |
Anotace, referát | In the present invention there is disclosed a process for producing semicontrolled devices, wherein at least one semicontrolled device component, the integral part of which is a single-crystal silicon with one or more P-N junctions with one or more dielectric layers adjoining outlets thereof on the silicon surface and at least one dielectric layer being of silicon runner, is heated prior encapsulating into a casing to a temperature ranging within 160 to 250 degC for a period of at least 20 minutes in air or nitrogen atmosphere under normal or reduced pressure and is subsequently sealed into the casing filled either with nitrogen or an inert gas. eng |
Anotace, referát | Způsob výroby výkonových polovodičových součástek se provádí tak, že alespoň jedna komponenta polovodičové součástky, jejíž nedílnou částí je monokrystalický křemík s jedním nebo více přechody PN, k jejichž vyústění na povrch křemíku přiléhá jedna nebo více dielektrických vrstev, z nichž alespoň jednu vrstvu tvoří silikonový kaučuk, se před hermetickým uzavřením do pouzdra zahřívá na teplotu v rozmezí 160 až 250 .degree.C po dobu nejméně 20 minut v atmosféře vzduchu nebo dusíku za normálního nebo sníženého tlaku a následně je neprodleně hermeticky uzavřena do pouzdra naplněného dusíkem nebo inertním plynem. cze |
Souběžný název | Process for producing semicontrolled devices |
Další system.sel.j. | H 01L 021/52 MPT |
Další system.sel.j. | H 01L 023/12 MPT |
Osobní jm.-sekund.o | Kojecký Bedřich Praha (CZ) p |
Osobní jm.-sekund.o | Kožíšek Jan Starý Bydžov (CZ) p |
Osobní jm.-sekund.o | Král Jiří Praha 1, Štěpánská 4511000 z |
Osobní jm.-sekund.o | Vlnas Stanislav Praha (CZ) p |
Korpor.,akce-sek.o. | POLOVODIČE, A. S. Praha (CZ) m |
Zdroj.pův.katalog. | CZ ÚPV 20030212 |
Zdroj.pův.katalog. | CZ OLA001 20031107 |
Sigla,sign.vlastn. | OLA001 291341 |
Počet exemplářů | 1 |
Logická báze | B6 |
Katalogizátor | 20031107 SVK06 1848 |
Katalogizátor | 20060721 SVK06 1403 |
Úvodní stránka katalogu.
O úroveň zpět..
© 2007 Ex Libris & Vědecká knihovna v Olomouci - webmaster.