Katalog Vědecké knihovny v Olomouci, báze SVK06, záznam 000291341

Navigace: http://aleph.vkol.cz/pub / svk06 / 00029xxxx / 0002913xx / 000291341.htm

Chcete-li získat tento dokument, vstupte přímo do katalogu. Získat dokument z katalogu.
If you want to get more information about the document, enter the online catalog. Get the item from catalog.

FormátBK
Návěští-----nam--22--------450-
Identif.č.záznamuupv000291341
Datum+čas posl.zpr.20031107
Všeob.údaje zprac.19990514d2003----km-y0czey0103----ba
Jazyk popisné jedn.cze
Země vydání dokum.CZ
Název a odpovědnostZpůsob výroby polovodičových součástek Process for producing semicontrolled devices
Nakladatelské údajePraha Úřad průmyslového vlastnictví 2003
Obecné poznámkyDatum podání přihlášky: 19990514
Obecné poznámkyDatum zveřejnění přihlášky: 20030212
Obecné poznámkyČíslo přihlášky: 1999-1735
Anotace, referátIn the present invention there is disclosed a process for producing semicontrolled devices, wherein at least one semicontrolled device component, the integral part of which is a single-crystal silicon with one or more P-N junctions with one or more dielectric layers adjoining outlets thereof on the silicon surface and at least one dielectric layer being of silicon runner, is heated prior encapsulating into a casing to a temperature ranging within 160 to 250 degC for a period of at least 20 minutes in air or nitrogen atmosphere under normal or reduced pressure and is subsequently sealed into the casing filled either with nitrogen or an inert gas. eng
Anotace, referátZpůsob výroby výkonových polovodičových součástek se provádí tak, že alespoň jedna komponenta polovodičové součástky, jejíž nedílnou částí je monokrystalický křemík s jedním nebo více přechody PN, k jejichž vyústění na povrch křemíku přiléhá jedna nebo více dielektrických vrstev, z nichž alespoň jednu vrstvu tvoří silikonový kaučuk, se před hermetickým uzavřením do pouzdra zahřívá na teplotu v rozmezí 160 až 250 .degree.C po dobu nejméně 20 minut v atmosféře vzduchu nebo dusíku za normálního nebo sníženého tlaku a následně je neprodleně hermeticky uzavřena do pouzdra naplněného dusíkem nebo inertním plynem. cze
Souběžný názevProcess for producing semicontrolled devices
Další system.sel.j.H 01L 021/52 MPT
Další system.sel.j.H 01L 023/12 MPT
Osobní jm.-sekund.oKojecký Bedřich Praha (CZ) p
Osobní jm.-sekund.oKožíšek Jan Starý Bydžov (CZ) p
Osobní jm.-sekund.oKrál Jiří Praha 1, Štěpánská 4511000 z
Osobní jm.-sekund.oVlnas Stanislav Praha (CZ) p
Korpor.,akce-sek.o.POLOVODIČE, A. S. Praha (CZ) m
Zdroj.pův.katalog.CZ ÚPV 20030212
Zdroj.pův.katalog.CZ OLA001 20031107
Sigla,sign.vlastn.OLA001 291341
Počet exemplářů1
Logická bázeB6
Katalogizátor20031107 SVK06 1848
Katalogizátor20060721 SVK06 1403