Katalog Vědecké knihovny v Olomouci -- Způsob výroby kompaktních složených monokrystalů Process for producing compact compound single crystals -- OLA001 292090

Katalog Vědecké knihovny v Olomouci, báze SVK06, záznam 000292090

Navigace: http://aleph.vkol.cz/pub / svk06 / 00029xxxx / 0002920xx / 000292090.htm

Chcete-li získat tento dokument, vstupte přímo do katalogu.
If you want to get more information about the document, enter the online catalog.

Formát	BK
Návěští	-----nam--22--------450-
Identif.č.záznamu	upv000292090
Datum+čas posl.zpr.	20031107
Všeob.údaje zprac.	20020314d2003----km-y0czey0103----ba
Jazyk popisné jedn.	cze
Země vydání dokum.	CZ
Název a odpovědnost	Způsob výroby kompaktních složených monokrystalů Process for producing compact compound single crystals
Nakladatelské údaje	Praha Úřad průmyslového vlastnictví 2003
Obecné poznámky	Datum podání přihlášky: 20020314
Obecné poznámky	Datum zveřejnění přihlášky: 20030716
Obecné poznámky	Číslo přihlášky: 2002-932
Anotace, referát	In the present invention there is disclosed a process for producing compact compound single crystals consisting of N monocrystalline parts, wherein N is greater than or equal to 2, which part are subjected to fine grinding, polishing and contacting with each other then heating to a temperature lower than the lowest melting point of a monocrystalline part from all monocrystalline parts used. Subsequently the parts are cooled down to room temperature. Surfaces of the individual monocrystalline parts are then subjected to chemical and mechanical polishing to a flatness corresponding to at least one wavelength of visible light by a diamond or aluminium oxide suspension that is enriched with an agent containing 0.1 to 10 mole percent of phosphate or silicate ions, based on the total volume of the polishing suspension. Subsequently they are cleaned in an acid being selected from the group comprising phosphoric acid and silicic acid at room temperature for a period of 10 to 30 minutes. So treated monocrystalline parts are then mechanically contacted within at the latest 30 minutes after finish of cleaning and tempered at the latest within 24 hours after finish of polishing, whereby the tempering takes place in a reducing medium under positive pressure of 100 - 500 kPa by gradual heating at the rate of 1 to 50 degC/hour from the room temperature to a temperature corresponding to 0.2 ? 0.6 multiple of melting temperature of that monocrystalline part having the lowest melting point, further heating thereof for a period of 10 - 200 hours at this temperature and gradual cooling down to the room temperature at the rate of 1 to 50 degC/hour. eng
Anotace, referát	Způsob výroby kompaktních složených monokrystalů sestávajících z N monokrystalických částí, kde N.>=.2, které se jemně vybrousí a vyleští, navzájem se kontaktují, poté se zahřívají na teplotu nižší než je nejnižší bod tání monokrystalické části ze všech použitých monokrystalických částí a následně se ochladí na pokojovou teplotu, kde povrchy jednotlivých monokrystalických částí se chemicko-mechanicky vyleští na rovinnost odpovídající minimálně jedné vlnové délce viditelného světla suspenzí diamantu nebo oxidu hlinitého, která je obohacena činidlem obsahujícím 0,1 až 10 mol. % fosforečnanových nebo křemičitanových iontů vztaženo k celkovému objemu lešticí suspenze, následně se čistí kyselinou vybranou ze skupiny tvořené kyselinou fosforečnou a kyselinou křemičitou při pokojové teplotě po dobu 10 - 30 minut, takto upravené monokrystalické části se nejdéle do 30 minut po skončení čištění mechanicky kontaktují a temperují se nejdéle do 24 hodin po skončení leštění, přičemž temperování probíhá v redukčním prostředí při přetlaku 100 - 500 kPa postupným zahříváním rychlosti 1 - 50 .degree.C/hodinu z pokojové teploty na teplotu odpovídající 0,2 - 0,6 násobku teploty tání té z použitých monokrystalických částí, která má nejnižší teplotu tání, zahříváním po dobu 10 - 200 hodin na této teplotě a postupným chlazením na pokojovou teplotu rychlostí 1 - 50 .degree.C/hod. cze
Souběžný název	Process for producing compact compound single crystals
Další system.sel.j.	B 32B 031/00 MPT
Další system.sel.j.	C 30B 033/00 MPT
Další system.sel.j.	C 30B 033/06 MPT
Osobní jm.-sekund.o	Blažek Karel Turnov (CZ) p
Osobní jm.-sekund.o	Dušková Hana Praha 1, Konviktská 511000 z
Osobní jm.-sekund.o	Nejezchleb Karel Turnov (CZ) p
Korpor.,akce-sek.o.	CRYTUR, SPOL. S R.O. TURNOV (CZ) m
Zdroj.pův.katalog.	CZ ÚPV 20030716
Zdroj.pův.katalog.	CZ OLA001 20031107
Sigla,sign.vlastn.	OLA001 292090
Počet exemplářů	1
Logická báze	B6
Katalogizátor	20031107 SVK06 1849
Katalogizátor	20060721 SVK06 1404