Katalog Vědecké knihovny v Olomouci, báze SVK06, záznam 000292336

Navigace: http://aleph.vkol.cz/pub / svk06 / 00029xxxx / 0002923xx / 000292336.htm

Chcete-li získat tento dokument, vstupte přímo do katalogu. Získat dokument z katalogu.
If you want to get more information about the document, enter the online catalog. Get the item from catalog.

FormátBK
Návěští-----nam--22--------450-
Identif.č.záznamuupv000292336
Datum+čas posl.zpr.20031107
Všeob.údaje zprac.20010820d2003----km-y0czey0103----ba
Jazyk popisné jedn.cze
Země vydání dokum.CZ
Název a odpovědnostUkončení růstu monokrystalu křemíku silně legovaného fosforem Termination of growth of silicon single crystal being strongly alloyed with phosphorus
Nakladatelské údajePraha Úřad průmyslového vlastnictví 2003
Obecné poznámkyDatum podání přihlášky: 20010820
Obecné poznámkyDatum zveřejnění přihlášky: 20030917
Obecné poznámkyČíslo přihlášky: 2001-3020
Anotace, referátThe purpose of the present invention is to reduce material loss and to increase yield of manufacture of silicon single crystals being strongly alloyed with phosphorus and prepared by Czochralski method from a crucible, whereby losses occur due to underemployment of silicon melt residue in a crucible and silicon consumption for making conical part at the single crystal cylindrical body end. The above purpose is achieved by tearing off the single crystal from the melt by increasing the pulling speed and through controlled cooling the single crystal at simultaneous vertical movement thereof in the direction away from the melt and successive reduction of a heater input so that occurred dislocation slides could affect only a very small portion of the single crystal. eng
Anotace, referátÚčelem řešení je snížit ztráty materiálu a zvýšit výtěžnost výroby monokrystalů křemíku silně legovaných fosforem připravovaných Czochralského metodou z kelímku, přičemž ztráty vznikají v důsledku nevyužití zbytku taveniny křemíku v kelímku a spotřeby křemíku na zakončení válcového těla monokrystalu kuželovou částí. Uvedeného účelu se dosáhne tím, že se monokrystal zvýšením rychlosti vytahování odtrhne od taveniny a za současného vertikálního pohybu monokrystalu směrem od taveniny se pomocí postupného snižování příkonu topidla řízeně ochladí tak, aby vzniklé dislokační skluzy zasáhly malou část monokrystalu. cze
Souběžný názevTermination of growth of silicon single crystal being strongly alloyed with phosphorus
Další system.sel.j.C 30B 015/00 MPT
Další system.sel.j.C 30B 029/06 MPT
Osobní jm.-sekund.oPánek Petr Rožnov pod Radhoštěm (CZ) p
Osobní jm.-sekund.oRosypal František Frýdek-Místek (CZ) p
Korpor.,akce-sek.o.TEROSIL, A. S. Rožnov pod Radhoštěm (CZ) m
Zdroj.pův.katalog.CZ ÚPV 20030917
Zdroj.pův.katalog.CZ OLA001 20031107
Sigla,sign.vlastn.OLA001 292336
Počet exemplářů1
Logická bázeB6
Katalogizátor20031107 SVK06 1850
Katalogizátor20060721 SVK06 1404