Katalog Vědecké knihovny v Olomouci, báze SVK06, záznam 000292336
Navigace: http://aleph.vkol.cz/pub / svk06 / 00029xxxx / 0002923xx / 000292336.htm
Chcete-li získat tento dokument, vstupte přímo do katalogu.
If you want to get more information about the document, enter the online catalog.
Formát | BK |
Návěští | -----nam--22--------450- |
Identif.č.záznamu | upv000292336 |
Datum+čas posl.zpr. | 20031107 |
Všeob.údaje zprac. | 20010820d2003----km-y0czey0103----ba |
Jazyk popisné jedn. | cze |
Země vydání dokum. | CZ |
Název a odpovědnost | Ukončení růstu monokrystalu křemíku silně legovaného fosforem Termination of growth of silicon single crystal being strongly alloyed with phosphorus |
Nakladatelské údaje | Praha Úřad průmyslového vlastnictví 2003 |
Obecné poznámky | Datum podání přihlášky: 20010820 |
Obecné poznámky | Datum zveřejnění přihlášky: 20030917 |
Obecné poznámky | Číslo přihlášky: 2001-3020 |
Anotace, referát | The purpose of the present invention is to reduce material loss and to increase yield of manufacture of silicon single crystals being strongly alloyed with phosphorus and prepared by Czochralski method from a crucible, whereby losses occur due to underemployment of silicon melt residue in a crucible and silicon consumption for making conical part at the single crystal cylindrical body end. The above purpose is achieved by tearing off the single crystal from the melt by increasing the pulling speed and through controlled cooling the single crystal at simultaneous vertical movement thereof in the direction away from the melt and successive reduction of a heater input so that occurred dislocation slides could affect only a very small portion of the single crystal. eng |
Anotace, referát | Účelem řešení je snížit ztráty materiálu a zvýšit výtěžnost výroby monokrystalů křemíku silně legovaných fosforem připravovaných Czochralského metodou z kelímku, přičemž ztráty vznikají v důsledku nevyužití zbytku taveniny křemíku v kelímku a spotřeby křemíku na zakončení válcového těla monokrystalu kuželovou částí. Uvedeného účelu se dosáhne tím, že se monokrystal zvýšením rychlosti vytahování odtrhne od taveniny a za současného vertikálního pohybu monokrystalu směrem od taveniny se pomocí postupného snižování příkonu topidla řízeně ochladí tak, aby vzniklé dislokační skluzy zasáhly malou část monokrystalu. cze |
Souběžný název | Termination of growth of silicon single crystal being strongly alloyed with phosphorus |
Další system.sel.j. | C 30B 015/00 MPT |
Další system.sel.j. | C 30B 029/06 MPT |
Osobní jm.-sekund.o | Pánek Petr Rožnov pod Radhoštěm (CZ) p |
Osobní jm.-sekund.o | Rosypal František Frýdek-Místek (CZ) p |
Korpor.,akce-sek.o. | TEROSIL, A. S. Rožnov pod Radhoštěm (CZ) m |
Zdroj.pův.katalog. | CZ ÚPV 20030917 |
Zdroj.pův.katalog. | CZ OLA001 20031107 |
Sigla,sign.vlastn. | OLA001 292336 |
Počet exemplářů | 1 |
Logická báze | B6 |
Katalogizátor | 20031107 SVK06 1850 |
Katalogizátor | 20060721 SVK06 1404 |
Úvodní stránka katalogu.
O úroveň zpět..
© 2007 Ex Libris & Vědecká knihovna v Olomouci - webmaster.