Katalog Vědecké knihovny v Olomouci -- Výkonový polovodičový modul Power solid-state module -- OLA001 294300

Katalog Vědecké knihovny v Olomouci, báze SVK06, záznam 000294300

Navigace: http://aleph.vkol.cz/pub / svk06 / 00029xxxx / 0002943xx / 000294300.htm

Chcete-li získat tento dokument, vstupte přímo do katalogu.
If you want to get more information about the document, enter the online catalog.

Formát	BK
Návěští	-----nam--22--------450-
Identif.č.záznamu	upv000294300
Datum+čas posl.zpr.	20041121
Všeob.údaje zprac.	19990913d2004----km-y0czey0103----ba
Jazyk popisné jedn.	cze
Země vydání dokum.	CZ
Název a odpovědnost	Výkonový polovodičový modul Power solid-state module
Nakladatelské údaje	Praha Úřad průmyslového vlastnictví 2004
Obecné poznámky	Datum oznámení zápisu: 19980922
Obecné poznámky	Datum podání přihlášky: 19990913
Obecné poznámky	Datum zveřejnění přihlášky: 20041110
Obecné poznámky	Právo přednosti: DE 1998/19843309
Obecné poznámky	Číslo přihlášky: 1999-3229
Anotace, referát	In the present invention, there is disclosed an IGBT power solid-state module comprising in a casing (1) a substrate (2), at least two semiconductor chips (4), each having two main electrodes (5, 6), and a contact member (3)´for each semiconductor chip (4). Each first main electrode (5) has electrical contact with the substrate (2) and each second main electrode (6) has electrical contact with the contact member (3). A layer (7) is disposed between the main electrode (5, 6) and the substrate (2) or the contact member (3). This layer (7) contains material that can form together with the semiconducting material a compound or an alloy the melting point of which lies below melting temperature of the semiconducting material, and the casing (1) does not encompass the semiconductor chips (4) in gas-tight manner. Said layer (7) thickness equals to at least one half of the semiconductor chip (4) thickness. eng
Anotace, referát	Výkonový polovodičový modul IGBT obsahuje v pouzdru (1) substrát (2), alespoň dva polovodičové čipy (4) vždy se dvěma hlavními elektrodami (5, 6), a pro každý polovodičový čip (4) kontaktní díl (3). Vždy první hlavní elektroda (5) má elektrický kontakt se substrátem (2) a vždy druhá hlavní elektroda (6) má elektrický kontakt s kontaktním dílem (3). Mezi hlavní elektrodou (5, 6) a substrátem (2) nebo kontaktním dílem (3) je upravena vrstva (7), tato vrstva (7) obsahuje materiál, který společně s polovodičovým materiálem může vytvořit sloučeninu nebo slitinu, jejíž teplota tavení leží pod teplotou tavení polovodičového materiálu, a pouzdro (1) neobklopuje polovodičové čipy (4) hermeticky. Tloušťka vrstvy (7) se rovná alespoň polovině tloušťky polovodičového čipu (4). cze
Souběžný název	Power solid-state module
Další system.sel.j.	H 01L 025/07 MPT
Osobní jm.-sekund.o	Lang Thomas Dr. Zürich (CH) p
Osobní jm.-sekund.o	Zeller Hans-Rudolf Dr. Birr (CH) p
Korpor.,akce-sek.o.	ABB SCHWEIZ HOLDING AG Baden (CH) m
Zdroj.pův.katalog.	CZ ÚPV 20041110
Zdroj.pův.katalog.	CZ OLA001 20041121
Sigla,sign.vlastn.	OLA001 294300
Počet exemplářů	1
Logická báze	B6
Katalogizátor	20041121 SVK06 1726
Katalogizátor	20060721 SVK06 1406