Katalog Vědecké knihovny v Olomouci -- Oboustranně řiditelný tyristor Bidirectionally controlled thyristor -- OLA001 294871

Katalog Vědecké knihovny v Olomouci, báze SVK06, záznam 000294871

Navigace: http://aleph.vkol.cz/pub / svk06 / 00029xxxx / 0002948xx / 000294871.htm

Chcete-li získat tento dokument, vstupte přímo do katalogu.
If you want to get more information about the document, enter the online catalog.

Formát	BK
Návěští	-----nam--22--------450-
Identif.č.záznamu	upv000294871
Datum+čas posl.zpr.	20050424
Všeob.údaje zprac.	19980520d2005----km-y0czey0103----ba
Jazyk popisné jedn.	cze
Země vydání dokum.	CZ
Název a odpovědnost	Oboustranně řiditelný tyristor Bidirectionally controlled thyristor
Nakladatelské údaje	Praha Úřad průmyslového vlastnictví 2005
Obecné poznámky	Datum oznámení zápisu: 19970522
Obecné poznámky	Datum podání přihlášky: 19980520
Obecné poznámky	Datum zveřejnění přihlášky: 20050413
Obecné poznámky	Právo přednosti: DE 1997/19721365
Obecné poznámky	Číslo přihlášky: 1998-1556
Anotace, referát	In the present invention, there is disclosed a bilaterally controllable thyristor comprising, in a semiconductor body, (a) between a first main surface (2) and a second main surface (3), a first thyristor structure having a first anode region (4), a first n-type base (5), a first p-type base (6), a first cathode region (7) and a first central gate region (8) and, reverse-connected in parallel therewith, a second thyristor structure having a second anode region (9), a second n-type base (10), a second p-type base (11) a second cathode region (12) and a second central gate region (13) wherein the first anode region (4), the second cathode region (12) and the second central gate region (13) being assigned to the first main surface (2), and the second anode region (9), the first cathode region (7) and the first central gate region (8) are assigned to the second main surface (3); (b) on both main surfaces (2, 3), a respective isolation region (14), which is arranged between the two thyristor structures between the first anode region (4) and the second cathode region (12) and between the second anode region (9) and the first cathode region (7); as well as (c) short-circuit regions (16), which short circuit the first p-type base (6) and the second p-type base (11) through the first cathode region (7) and the second cathode region (12), respectively, with a metallization layer which covers the cathode regions (7, 12), wherein a density per unit area of the short-circuit regions (16) increases toward the isolation region (16) and assumes a maximum value directly adjacent to the isolation region (14). eng
Anotace, referát	Oboustranně řiditelný tyristor obsahuje v polovodičovém tělese mezi první hlavní plochou (2) a druhou hlavní plochou (3) první tyristorovou strukturu s první anodovou oblastí (4), s první n-bází (5), s první p-bází (6), s první katodovou oblastí (7) a s první centrální hradlovou oblastí (8), a antiparalelně s ní druhou tyristorovou strukturu s druhou anodovou oblastí (9), s druhou n-bází (10), s druhou p-bází (11), s druhou katodovou oblastí (12) a s druhou centrální hradlovou oblastí (13). První anodová oblast (4), druhá katodová oblast (12) a druhá centrální hradlová oblast (13) jsou přiřazeny první hlavní ploše (2) a druhá anodová oblast (9), první katodová oblast (7) a první centrální hradlová oblast (8) jsou přiřazeny druhé hlavní ploše (3). Na obou hlavních plochách (2, 3) obsahuje vždy jednu dělicí oblast (14), která je uspořádána mezi oběma tyristorovými strukturami mezi první anodovou oblastí (4) a druhou katodovou oblastí (12) a mezi druhou anodovou oblastí (9) a první katodovou oblastí (7). Tyristor dále obsahuje první zkratové oblasti (16), které zkratují první p-bázi (6) a druhou p-bázi (11) skrz první katodovou oblast (7), popřípadě druhou katodovou oblast (12), prostřednictvím pokovení, překrývajícího tyto katodové oblasti (7, 12). Počet prvních zkratových oblastí (16) na plošnou jednotku se směrem k dělicí oblasti (14) zvětšuje a těsně u dělicí oblasti (14) dosahuje maximální hodnoty. cze
Souběžný název	Bidirectionally controlled thyristor
Další system.sel.j.	H 01L 029/74 MPT
Osobní jm.-sekund.o	Streit Peter Dr. Widen (CH) p
Osobní jm.-sekund.o	Thomas Kenneth Dr. Schaffhausen (CH) p
Korpor.,akce-sek.o.	ABB Schweiz AG Baden (CH) m
Zdroj.pův.katalog.	CZ ÚPV 20050413
Zdroj.pův.katalog.	CZ OLA001 20050424
Sigla,sign.vlastn.	OLA001 294871
Počet exemplářů	1
Logická báze	B6
Katalogizátor	20050424 SVK06 1936
Katalogizátor	20060721 SVK06 1406