Katalog Vědecké knihovny v Olomouci -- Buňka DRAM s prstencovou oblastí přenosu signálu DRAM cell having annular signal transfer region -- OLA001 295847

Katalog Vědecké knihovny v Olomouci, báze SVK06, záznam 000295847

Navigace: http://aleph.vkol.cz/pub / svk06 / 00029xxxx / 0002958xx / 000295847.htm

Chcete-li získat tento dokument, vstupte přímo do katalogu.
If you want to get more information about the document, enter the online catalog.

Formát	BK
Návěští	-----nam--22--------450-
Identif.č.záznamu	upv000295847
Datum+čas posl.zpr.	20051128
Všeob.údaje zprac.	19991126d2005----km-y0czey0103----ba
Jazyk popisné jedn.	cze
Země vydání dokum.	CZ
Název a odpovědnost	Buňka DRAM s prstencovou oblastí přenosu signálu DRAM cell having annular signal transfer region
Nakladatelské údaje	Praha Úřad průmyslového vlastnictví 2005
Obecné poznámky	Datum oznámení zápisu: 19981204
Obecné poznámky	Datum podání přihlášky: 19991126
Obecné poznámky	Datum zveřejnění přihlášky: 20051116
Obecné poznámky	Právo přednosti: US 1998/205934
Obecné poznámky	Číslo přihlášky: 2001-1964
Anotace, referát	In the present invention, there is disclosed a memory device (200) in a substrate having a trench with side walls in the substrate, said memory device (200) including bit line conductors (246) and word line conductors (230). Signal storage node has a first electrode (202), a second electrode (204) formed within the trench (252; DT), and a node dielectric (206) formed between the electrodes (202, 204). The signal transfer device has: an annular signal transfer region (222) with outer surface adjacent side walls (212) of the trench (252; DT), an inner surface, a first and a second end; a first diffusion region (218) coupling the first end of the signal transfer region (222) to the second electrode (204) of the signal storage node; a second diffusion region (220) coupling the second end of signal transfer region (222) to the bit line conductor (246); a gate insulator (224) coating the inner surface of signal transfer region (222); and a gate conductor (226) coating the gate insulator (224) and coupled to the word line conductor (230). A conductive connecting member (236) couples the signal transfer region (222) to a reference voltage. eng
Anotace, referát	Paměťové zařízení (200) v substrátu, který má rýhu s bočními stěnami v substrátu, obsahuje vodiče (246) bitové linky a vodiče (230) linky linky slov. Uzel uchování signálu má první elektrodu (202), druhou elektrodu (204) vytvořenou v rýze (252; DT), a dielektrikum (206) uzlu vytvořené mezi elektrodami (202, 204). Zařízení pro přenos signálu má: prstencovou oblast (222) přenosu signálu s vnějším povrchem přilehlým k bočním stěnám (212) rýhy (252; DT), vnitřním povrchem, prvním a druhým koncem; první difuzní oblast (218) spojující první konec oblasti (222) přenosu signálu s druhou elektrodou (204) uzlu uchování signálu; druhou difuzní oblast (220) spojující druhý konec oblasti (222) přenosu signálu s vodičem (246) bitové linky; izolátor (224) hradla pokrývající vnitřní povrch oblasti (222) přenosu signálu; a vodič (226) hradla pokrývající izolátor (224) hradla a připojený k vodiči (230) linky slov.Vodivý spojovací člen (236) spojuje oblast (222) přenosu signálu s referenčním napětím. cze
Souběžný název	DRAM cell having annular signal transfer region
Další system.sel.j.	H 01L 021/82 MPT
Další system.sel.j.	H 01L 027/10 MPT
Osobní jm.-sekund.o	Agahi Farid Austin (US, TX) p
Osobní jm.-sekund.o	Hsu Louis Fishkill (US, NY) p
Osobní jm.-sekund.o	Mandelman Jack Stormville (US, NY) p
Korpor.,akce-sek.o.	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION Armonk (US, NY) m
Zdroj.pův.katalog.	CZ ÚPV 20051116
Zdroj.pův.katalog.	CZ OLA001 20051128
Sigla,sign.vlastn.	OLA001 295847
Počet exemplářů	1
Logická báze	B6
Katalogizátor	20051128 SVK06 2157
Katalogizátor	20060721 SVK06 1407