Katalog Vědecké knihovny v Olomouci -- Polovodičová součástka pro usměrnění střídavého proudu velkého výkonu Semiconductor device for rectification of high power alternating current -- OLA001 301473

Katalog Vědecké knihovny v Olomouci, báze SVK06, záznam 000301473

Navigace: http://aleph.vkol.cz/pub / svk06 / 00030xxxx / 0003014xx / 000301473.htm

Chcete-li získat tento dokument, vstupte přímo do katalogu.
If you want to get more information about the document, enter the online catalog.

Formát	BK
Návěští	-----nam--22--------450-
Identif.č.záznamu	upv000301473
Datum+čas posl.zpr.	20100415
Všeob.údaje zprac.	20060403d2010----km-y0czey0103----ba
Jazyk popisné jedn.	cze
Země vydání dokum.	CZ
Název a odpovědnost	Polovodičová součástka pro usměrnění střídavého proudu velkého výkonu Semiconductor device for rectification of high power alternating current
Nakladatelské údaje	Praha Úřad průmyslového vlastnictví 2010
Obecné poznámky	Číslo přihlášky: 2006-221
Obecné poznámky	Datum podání přihlášky: 20060403
Obecné poznámky	Datum zveřejnění přihlášky: 20100317
Anotace, referát	Polovodičová součástka je tvořena kruhovou destičkou z monokrystalického polovodičového materiálu obsahující vrstvu (3) výchozího polovodičového materiálu, ke které přiléhá z jedné strany první krajní polovodičová vrstva (4) opačného typu vodivosti. V ní je vytvořena první oblast (4a) s koncentrací aktivních příměsí větší než 10.sup.17.n. cm.sup.-3.n. sahající do hloubky nejméně 40 .mi.m pod povrch, kterým první krajní polovodičová vrstva (4) přiléhá k první elektrodě (1) součástky. Vrstvy (3) a (4) tvoří PN přechod. Z druhé strany přiléhá k vrstvě (3) výchozího polovodičového materiálu druhá krajní polovodičová vrstva (5) stejného typu vodivosti jako vrstva (3) výchozího polovodičového materiálu. V ní je vytvořena první oblast (5a) s koncentrací aktivních příměsí větší než 10.sup.17.n. cm.sup.-3.n. sahající do hloubky nejméně 40 .mi.m pod povrch, kterým druhá krajní polovodičová vrstva (5) přiléhá k druhé elektrodě (2) součástky. Součet tloušťky krajních polovodičových vrstev (4) a (5) je větší než polovina celkové tloušťky kruhové destičky monokrystalického polovodičového materiálu. cze
Souběžný název	Semiconductor device for rectification of high power alternating current
Další system.sel.j.	H01L 21/04 MPT
Osobní jm.-sekund.o	Holcová Libuše Praha (CZ) p
Osobní jm.-sekund.o	Homola Jaroslav Kladno (CZ) p
Osobní jm.-sekund.o	Pína Libor Praha (CZ) p
Korpor.,akce-sek.o.	Polovodiče, a. s. Praha (CZ) m
Zdroj.pův.katalog.	CZ ÚPV 20100317
Zdroj.pův.katalog.	CZ OLA001 20100415
Sigla,sign.vlastn.	OLA001 301473
Počet exemplářů	1
Logická báze	B6
Katalogizátor	20100429 SVK06 1124