Katalog Vědecké knihovny v Olomouci -- Epitaxní vícevrstvá struktura pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů na bázi GaN a tranzistor obsahující tuto strukturu Epitaxial multilayer structure for GaN-based high electron mobility transistors and a transistor containing this structure -- OLA001 307942

Katalog Vědecké knihovny v Olomouci, báze SVK06, záznam 000307942

Chcete-li získat tento dokument, vstupte přímo do katalogu.
If you want to get more information about the document, enter the online catalog.

Formát	BK
Návěští	-----nam--22--------450-
Identif.č.záznamu	upv000307942
Datum+čas posl.zpr.	92009
Všeob.údaje zprac.	20180615d2019----km-y0czey0103----ba
Jazyk popisné jedn.	cze
Země vydání dokum.	CZ
Název a odpovědnost	Epitaxní vícevrstvá struktura pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů na bázi GaN a tranzistor obsahující tuto strukturu Epitaxial multilayer structure for GaN-based high electron mobility transistors and a transistor containing this structure
Nakladatelské údaje	Praha Úřad průmyslového vlastnictví 2019
Obecné poznámky	Číslo přihlášky: 2018-295
Obecné poznámky	Datum podání přihlášky: 20180615
Obecné poznámky	Datum zveřejnění přihlášky: 20190904
Souběžný název	Epitaxial multilayer structure for GaN-based high electron mobility transistors and a transistor containing this structure
Osobní jm.-sekund.o	Bauer Karel Za Radnicí 835, Dolní Břežany 25241 (CZ) z
Osobní jm.-sekund.o	Dominec Filip Praha 6, Střešovice (CZ) p
Osobní jm.-sekund.o	Hospodková Alice Praha 6, Střešovice (CZ) p
Korpor.,akce-sek.o.	Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Praha 8, Libeň (CZ) m
Zdroj.pův.katalog.	CZ ÚPV 20190904
Zdroj.pův.katalog.	CZ OLA001 92009
Sigla,sign.vlastn.	OLA001 307942
Počet exemplářů	1
Logická báze	B6
Katalogizátor	20190926 SVK06 0758